2. 測量出帶電離子的荷質比，可進而分析離子的種類，其主要構造可分為離子源、具有均勻磁場B1的分析器及偵測器。質譜儀測量過程如圖12所示：質量m、帶電荷q（q＞0）的離子，由離子源以速度 垂直射入均勻磁場
中（以·表示射出紙面方向），經過半個圓周後射入偵測器，離子源和偵測器的距離固定為L，只有特定質量的離子才能射入偵測器被偵測到。實驗時先讓離子經過平行金屬板間的區域，如圖12左下所示，該區域有橫向的均勻電場E（以®表示電場方向）及進入紙面的均勻磁場
（以Î表示），目的為使垂直射入均勻磁場
的離子皆有相同的速度
。回答下列問題。
- 欲使垂直射入均勻磁場
的離子皆有相同的速度
，則平行金屬板間區域的電場E、磁場
及離子速度
- 計算可射入偵測器的離子的質量m為何？（以
,
表示）（4分）
- 由於實驗中離子速率有誤差
，離子速率可表示為
，因此測量到的離子質量會有誤差
，質量可表示為
，計算離子質量的誤差比率（
）為何？（以
詳解
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